合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET，采用SGT屏蔽栅技术，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热，产品均符合RoHS环保标准，以低导通电阻和高电流承载，可适配封闭环境应用，如储能电池包BMS和车载OBC应用。

核心性能

1低导通电阻，高效节能

• 在VGS=V，ID=A的条件下最大导通电阻（RDS（on））仅为4.5mΩ（典型值6mΩ），可以显著低降低电路导通损耗，提升系统效率。

2. 高连续电流高负载可靠性设计

• 65V耐压设计，支持80A连续电流与240A脉冲电流，可满足中低压负载条件；
• 宽温范围-55℃~175℃，适应户外昼夜温差环境。

3.快速开关与低反向恢复

• 开启延迟时间13ns，关断延迟时间35ns，优化栅极驱动，支持高频拓扑。
• 超低反向恢复电荷Qrr=50nC和体二极管软恢复特性，减少电磁干扰和开关噪音,提升EMC表现。 

电器曲线图

典型应用场景

储能BMS、车载OBC、光伏逆变器、笔记本PD电源等。

选型推荐

目前合科泰HKT系列产品热销中，提供多种封装形式，有意者可联系合科泰销售人员进行选购。