MOS（金属-氧化物-半导体）管是一种常见的场效应晶体管（FET），常用于放大和开关电路中。MOS管主要由一片半导体晶体片（通常是硅）和相连的两个金属电极组成，它们之间隔着一层氧化物。

MOS管的工作原理基于半导体中的电荷控制和电场控制。晶体片被掺杂成N型或P型半导体，在其表面形成一个绝缘层，即氧化物层。这一层氧化物隔离了金属电极和半导体之间的直接接触，从而实现了电场的控制。

当在MOS管的金属电极（栅极）上施加一个电压，形成了一个电场，该电场通过氧化层作用于半导体中的掺杂离子。这个电场可以引起离子的移动，从而改变半导体中形成的沟道的电导率。

如果栅极电压较低，沟道处于关闭状态，当前无法通过沟道流动电流。如果栅极电压逐渐增加到某个阈值电压以上，沟道开始导电，此时MOS管进入导通状态，电流可以通过沟道流动。栅极电压的变化可以控制沟道中的电流大小。

通过调整栅极电压，可以控制MOS管的导通与截止，从而达到放大或开关的目的。这种工作原理使得MOS管能够实现高输入阻抗、低噪声、高增益和低功耗等优点，广泛应用于集成电路和各种电子设备中。