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小功率mos管SOP-8/Dual-P规格书下载

小功率mos管SOP-8/Dual-P

小功率mos管SOP-8/Dual-P

面议

SOP-8

合科泰

采用先进地 沟槽技术;低的RDS和低栅极电位;具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好;制造工艺简单、辐射强

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开关电源、输入高阻抗的电子电路中

MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。

产品分类 封装 型号(Type) Polarity VDS VGS IDS PD RDS(10V) RDS(4.5V) RDS(2.5V) RDS(1.8V) RDS(1.5V) REPLACEMENT TYPE PDF下载
(V) V (A) (W) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ) (MΩ
低电压mos管 Dual-P SOP-8 HOS4801 Dual-P -30 12 -5 2 48 57 80 - - 4801 blob.png
HOS4803 Dual-P -30 20 -5 2 52 87 - - - 4803 blob.png
HOS4953 Dual-P 30 20 4.9 2 48 73 - - - 4953 blob.png